Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2006-00-00 ОрганизацияСанкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия * Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Фотоэмиссия поляризованных электронов из InAlGaAs-GaAs-сверхрешеток сминимальными разрывами зоныпроводимости

Герчиков Л.Г., Мамаев Ю.А., Субашиев А.В., Яшин Ю.П., Васильев Д.А., Кузьмичев В.В., Жуков А.Е., Семенова Е.С., Васильев А.П., Устинов В.М.

Герчиков Л.Г., Мамаев Ю.А., Субашиев А.В., Яшин Ю.П., Васильев Д.А., Кузьмичев В.В., Жуков А.Е., Семенова Е.С., Васильев А.П., Устинов В.М. Фотоэмиссия поляризованных электронов из InAlGaAs-GaAs-сверхрешеток сминимальными разрывами зоныпроводимости // ФТП, 2006, том 40, выпуск 11, Стр. 1361

Аннотация Изучена фотоэмиссия поляризованных электронов из гетероструктур на основе InAlGaAs-GaAs-сверхрешеток с минимальными разрывами края зоны проводимости. Сравнение зависимости степени поляризации фотоэмиссии от энергии возбуждения с расчетными спектрами позволило определить вклад в потери поляризации на отдельных этапах фотоэмиссии. Максимальные значения поляризации P=91% при квантовом выходе0.14% близки к лучшим результатам, полученным для фотокатодов на основе напряженных полупроводниковых сверхрешеток. PACS: 68.65.Cd, 72.25.Fe, 72.25.Rb, 72.25.Dc, 78.67.Pt, 79.60.Jv