Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2006-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Локализация электронно-дырочных комплексов нафлуктуациях интерфейсов квантовых ям

Семина М.А., Сергеев Р.А., Сурис Р.А.

Семина М.А., Сергеев Р.А., Сурис Р.А. Локализация электронно-дырочных комплексов нафлуктуациях интерфейсов квантовых ям // ФТП, 2006, том 40, выпуск 11, Стр. 1373

Аннотация Теоретически изучена локализация двумерных электронно-дырочных комплексов на потенциале притяжения произвольной формы. Предложен общий метод построения простых и наглядных вариационных функций для вычисления энергии связи основного состояния таких комплексов. Проанализированы предельные случаи, соответствующие различным соотношениям между параметрами, характеризующими изучаемую систему. Разработанный метод проиллюстрирован конкретными расчетами для экситона в двумерной квантовой яме с дополнительным латеральным потенциалом. PACS:73.21.Hb, 71.35.Gg