Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2006-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Влияние дополнительно введенных примесейZn иEu навид спектров фотолюминесценции кристалловGaN, легированныхEr

Мездрогина М.М., Криволапчук В.В., Петров В.Н., Родин С.Н., Черенков А.В.

Мездрогина М.М., Криволапчук В.В., Петров В.Н., Родин С.Н., Черенков А.В. Влияние дополнительно введенных примесейZn иEu навид спектров фотолюминесценции кристалловGaN, легированныхEr // ФТП, 2006, том 40, выпуск 12, Стр. 1412

Аннотация Показано, что влияние на спектр люминесценции легирующих примесей определяется типом проводимости исходных кристалловGaN. Эффект сенсибилизации излучения наблюдается в вюртцитных кристаллахGaN с p-типом проводимости при легированииEr. Такой же эффект наблюдался в таких кристаллах ранее при легированииEu, Zn. Вкристаллах GaN с n-типом проводимости, последовательно легированныхEu, Zn, Er, наблюдается излучение в видимой (lambda=360-440, 530-560 нм) и инфракрасной областях (lambda=1.54 мкм) спектра. PACS: 78.55.Cr, 61.72.Vv