Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2006-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия * Волгодонский институт Южно-Российского государственного технического университета, 347340 Волгодонск, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Свойства эпитаксиальных слоев антимонида галлия, полученных методом газофазной эпитаксии изметаллорганических соединений

Левин Р.В., Власов А.С., Зотова Н.В., Матвеев Б.А., Пушный Б.В., Андреев В.М.

Левин Р.В., Власов А.С., Зотова Н.В., Матвеев Б.А., Пушный Б.В., Андреев В.М. Свойства эпитаксиальных слоев антимонида галлия, полученных методом газофазной эпитаксии изметаллорганических соединений // ФТП, 2006, том 40, выпуск 12, Стр. 1427

Аннотация Исследованы электрофизические свойства эпитаксиальных слоев GaSb, полученных методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений в различных условиях. Показано, что морфология, концентрация свободных носителей и их подвижность зависят от соотношения молярных потоков TMSb/TEGa. Проанализированы структурные и люминесцентные свойства слоев при 300 K и 77 K. Получены зависимости скорости роста, концентрации носителей и их подвижности от соотношения компонентов пятой и третьей групп в газовой фазе. Обнаружен провал по подвижности при соотношении TMSb/TEGa~3. PACS: 68.55.Jk. 72.20.Fr, 78.55.Cr