Профиль » Публикация
Опубликовано
2006-00-00
ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия * Технологический институт Киото, Мацугасаки, 606-8585 Киото, Япония
ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"
Исследование структур n+-6H/n-3C/p+-6H-SiC, выращенных методом сублимационной эпитаксии
Лебедев А.А., Стрельчук А.М., Давыдов С.Ю., Черенков А.Е., Кузнецов А.Н., Трегубова А.С., Сорокин Л.М., Щеглов М.П., Садохин А.В., Йонеда С., Нишино Ш. Исследование структур n+-6H/n-3C/p+-6H-SiC, выращенных методом сублимационной эпитаксии // ФТП, 2006, том 40, выпуск 12, Стр. 1432
Аннотация
Впервые методом сублимационной эпитаксии получена структура 6H(n+)/3C(n)/6H(p+)-SiC, на основе которой изготовлены меза-диоды и проведено исследование их электрических характеристик. Обнаружено, что в спектре инжекционной электролюминесценции данных диодов доминирует полоса в зеленой области спектра, которая близка по характеристикам к полосе, связанной с рекомбинацией свободного экситона в объемном образце 3C-SiC, но сдвинута в коротковолновую область на~ 0.06 эВ. Подобный эффект наблюдался ранее для треугольных квантовых ям в гетеропереходе n+-6H-SiC/p-3C-SiC. Проведенный анализ экспериментальных результатов показал, что данную структуру можно рассматривать как два независимых гетероперехода. Наблюдавшийся спектр электролюминесценции может быть обусловлен излучательной рекомбинацией у гетерограницы n+-6H-SiC/n-3C-SiC. PACS: 81.15.Hi, 85.30.Kk, 78.60.Fi, 73.40.Lq
Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален