Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2006-00-00 Организация* Физико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия + Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Влияние электрического поля на спин-зависимое резонансное туннелирование

Алексеев П.С., Чистяков В.М., Яссиевич И.Н.

Алексеев П.С., Чистяков В.М., Яссиевич И.Н. Влияние электрического поля на спин-зависимое резонансное туннелирование // ФТП, 2006, том 40, выпуск 12, Стр. 1436

Аннотация Построена теория спин-зависимого резонансного туннелирования электронов через двухбарьерную гетероструктуру в присутствии электрического поля. Спин-орбитальное расщепление учитывается введением в эффективный гамильтониан слагаемого Дрессельхауза. Проанализирована возможность создания спинового детектора и инжектора на основе немагнитной полупроводниковой GaAlSb-гетероструктуры, управляемой электрическим полем. PACS: 73.40.Gk, 73.43.Jn, 85.30.Mn, 85.75.Mm