Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2006-00-00 ОрганизацияСибирский физико-технический институт им. В.Д.Кузнецова, 634050 Томск, Россия * Институт физики прочности и материаловедения Сибирского отделения Российской академии наук, 634021 Томск, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Влияние термического отжига начувствительность кремниевых МОПдиодов квосстановительным газам

Балюба В.И., Грицык В.Ю., Давыдова Т.А., Калыгина В.М., Назаров С.С., Панин А.В., Хлудкова Л.С.

Балюба В.И., Грицык В.Ю., Давыдова Т.А., Калыгина В.М., Назаров С.С., Панин А.В., Хлудкова Л.С. Влияние термического отжига начувствительность кремниевых МОПдиодов квосстановительным газам // ФТП, 2006, том 40, выпуск 12, Стр. 1470

Аннотация Исследовано влияние термического отжига в интервале 200-610oC на чувствительность и временные зависимости отклика диодов Pd--SiO2--n-Si к водороду и аммиаку. Поверхность Pd-электрода после отжига исследовалась с помощью атомно-силовой микроскопии. Измерены высокочастотные вольт-фарадные характеристики на воздухе и в газовых смесях H2/воздух и NH3/воздух. Показано, что после отжига при 200oC в течение 10 мин отклик емкости диодов на водород выше отклика на аммиак. После отжига при 300oC и более высоких температурах чувствительность МОП диодов к водороду практически исчезает, в то время как отклик на аммиак все еще остается высоким, хотя постепенно уменьшается с повышением температуры отжига. Снижение чувствительности диодов Pd--SiO2--n-Si к аммиаку с повышением температуры отжига объясняется ухудшением электрических характеристик Pd-электрода. PACS: 73.40.Qv, 81.40.Ef, 85.30.Kk