Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2006-00-00 Организация* Институт СВЧ полупроводниковой электроники Российской академии наук, 117105 Москва Россия + Московский государственный университет им.М.В.Ломоносова, 119992, ГСП-2 Москва, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Влияние температуры роста спейсерного слоя наподвижность двумерного электронного газа вPHEMT-структурах

Галиев Г.Б., Васильевский И.С., Климов Е.А., Мокеров В.Г., Черечукин А.А.

Галиев Г.Б., Васильевский И.С., Климов Е.А., Мокеров В.Г., Черечукин А.А. Влияние температуры роста спейсерного слоя наподвижность двумерного электронного газа вPHEMT-структурах // ФТП, 2006, том 40, выпуск 12, Стр. 1479

Аннотация Экспериментально исследовано влияние температуры роста спейсерного слоя AlGaAs на подвижность двумерного электронного газаmue в односторонне delta-легированных псевдоморфных AlGaAs/InGaAs/GaAs транзисторных структурах с высокой подвижностью электронов. Спомощью самосогласованного расчета проанализирована зонная диаграмма. Для исследования электронных транспортных свойств выбрана оптимальная структура, в которой отсутствует параллельная проводимость по легированному слою. Показано, что в оптимизированных структурах с увеличением температуры роста от590 до610oC при неизменности остальных параметров и условий роста подвижностьmue увеличивается на53% при T=300 K и на69% при T=77 K. Предполагается, что это связано с улучшением структурного совершенства спейсерного слоя AlGaAs и гетерограницы AlGaAs/InGaAs/GaAs. PACS: 81.15.Hi, 72.80.Ey, 73.61.Ey