Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:
Опубликовать в блог:
Опубликовано 2007-00-00 ОрганизацияГосударственное унитарное научно-производственное предприятие \glqq Электрон-Оптроник\grqq, 194223 Санкт-Петербург, Россия * Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, 195251 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"


Накопление структурных нарушений вкремнии приоблучении кластерными ионамиPF+n средних энергий
Азаров А.Ю., Титов А.И.
Азаров А.Ю., Титов А.И. Накопление структурных нарушений вкремнии приоблучении кластерными ионамиPF+n средних энергий // ФТП, 2007, том 41, выпуск 1, Стр. 7
Аннотация С помощью метода спектрометрии резерфордовского обратного рассеяния в сочетании с каналированием исследовано накопление структурных нарушений в кремнии при комнатной температуре под воздействием облучения атомарными ионамиP+,F+, а также кластерными ионамиPF+n (n=1... 4) сэнергией2.1 кэВ/а.е.м. и одинаковой скоростью генерации первичных дефектов. Предложены условия для корректного сравнения результатов бомбардировки атомарными и кластерными ионами, состоящими из атомов разного типа. Обнаружено, что характер накопления структурных нарушений в кремнии в случае бомбардировки ионамиPF+n существенно отличается от наблюдаемого как при облучении атомарными ионами, составляющими кластерный ион (P+иF+), так и при бомбардировке атомарными тяжелыми ионами, имеющих атомную массу, близкую к массе кластеровPF+n. Показано, что в эквивалентных условиях облучения кластерные ионы в приповерхностной области производят значительно большее количество нарушений, чем атомарные, т. е.наблюдается молекулярный эффект. Рассмотрены возможные механизмы данного явления. PACS: 61.72.Tt, 61.80.Lj, 61.80.-x, 68.55.Ln

Комментарии

Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален