Профиль » Публикация
Опубликовано
2007-00-00
ОрганизацияТомский государственный университет, 634050 Томск, Россия
ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"
Электрофизические свойства облученного протонами ZnSiAs2
Брудный В.Н., Ведерникова Т.В. Электрофизические свойства облученного протонами ZnSiAs2 // ФТП, 2007, том 41, выпуск 1, Стр. 13
Аннотация
Исследованы электрофизические свойства p-ZnSiAs2, облученного протонами (энергия E=5 МэВ, доза D=< 2·1017 см-2). Из экспериментальных и расчетных данных оценено положение предельного уровня Ферми в облученном материале (середина запрещенной зоны Eg/2). Винтервале температур 20-610oC проанализирована термическая стабильность радиационных дефектов. PACS: 61,80.Jh, 73.61.Le
Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален