Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:
Опубликовать в блог:
Опубликовано 2007-00-00 ОрганизацияТомский государственный университет, 634050 Томск, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"


Электрофизические свойства облученного протонами ZnSiAs2
Брудный В.Н., Ведерникова Т.В.
Брудный В.Н., Ведерникова Т.В. Электрофизические свойства облученного протонами ZnSiAs2 // ФТП, 2007, том 41, выпуск 1, Стр. 13
Аннотация Исследованы электрофизические свойства p-ZnSiAs2, облученного протонами (энергия E=5 МэВ, доза D=< 2·1017 см-2). Из экспериментальных и расчетных данных оценено положение предельного уровня Ферми в облученном материале (середина запрещенной зоны Eg/2). Винтервале температур 20-610oC проанализирована термическая стабильность радиационных дефектов. PACS: 61,80.Jh, 73.61.Le

Комментарии

Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален