Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2007-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия + Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, 220013 Минск, Белоруссия * Объединенный институт физики твердого тела и полупроводн ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Барьеры Шоттки на основе пленок n-In2S3, полученных лазерным испарением

Боднарь И.В., Полубок В.А., Гременок В.Ф., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В.

Боднарь И.В., Полубок В.А., Гременок В.Ф., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В. Барьеры Шоттки на основе пленок n-In2S3, полученных лазерным испарением // ФТП, 2007, том 41, выпуск 1, Стр. 48

Аннотация Методом импульсного лазерного испарения исходных мишеней с последующим осаждением на стеклянные подложки при температурах 480-720 K выращены гомогенные тонкие (0.6-1.5 мкм) пленки n-In2S3, на которых впервые созданы барьеры Шоттки In/n-In2S3. Изучена температурная зависимость удельного сопротивления пленок n-типа проводимости и определена энергия активации донорных центров в них. Исследованы спектральные зависимости квантовой эффективности фотопреобразованияeta(homega) полученных барьеров. Из анализа спектральных зависимостейeta(homega) сделан вывод о характере межзонных переходов и оценена ширина запрещенной зоны в пленкахIn2S3. Сделан вывод о возможностях применения тонких пленок In2S3 в широкополосных фотопреобразователях оптического излучения. PACS: 78.20.-e