Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2007-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия + Национальный университет &#92;glqq Львивська политехника&#92;grqq, 79013 Львов, Украина * Санкт-Петербургский государственный политехнический уни ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Фотоэлектрические свойства структур In/In2Se3

Ильчук Г.А., Кусьнэж В.В., Петрусь Р.Ю., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Украинец В.О.

Ильчук Г.А., Кусьнэж В.В., Петрусь Р.Ю., Рудь В.Ю., Рудь Ю.В., Украинец В.О. Фотоэлектрические свойства структур In/In2Se3 // ФТП, 2007, том 41, выпуск 1, Стр. 53

Аннотация Методом направленной кристаллизации расплава, близкого по составу к стехиометрическому, а также парофазным методом выращены кристаллы In2Se3 гексагональной модификации, и впервые созданы барьеры Шоттки In/n-In2Se3, фоточувствительные в широкой области энергий падающих фотонов 1-3.8 эВ при 300 K. Изучен характер межзонного фотоактивного поглощения, оценены высота энергетического барьера и энергии межзонных оптических переходов. Сделан вывод о возможностях применения выращенных кристаллов в широкополосных фотопреобразователях оптического излучения. PACS: 71.20.Nr, 73.40.Ns, 73.50.Pz