Профиль » Публикация
Опубликовано
2007-00-00
ОрганизацияИнститут физики микроструктур Российской академии наук, 603950 Нижний Новгород, Россия
ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"
Особенности пиролиза молекул наэпитаксиальной поверхности приросте слоев Si1-xGex изгидридов ввакууме
Орлов Л.К., Ивин С.В. Особенности пиролиза молекул наэпитаксиальной поверхности приросте слоев Si1-xGex изгидридов ввакууме // ФТП, 2007, том 41, выпуск 1, Стр. 56
Аннотация
В рамках кинетического приближения на основе данных ростового эксперимента рассмотрены особенности пиролиза молекул при росте пленок Si1-xGex из гидридов в вакууме. Для схемы распада моногидридов Si и Ge с доминирующей ролью в процессе пиролиза радикалов SiH2 и GeH2 изучен характер решений кинетической задачи в зависимости от значений параметров системы. Впервые показано, что в рассматриваемой системе могут существовать по крайней мере два типа решений, принципиально отличающихся друг от друга скоростью встраивания атомов в растущий слой и степенью заполнения поверхностных состояний продуктами пиролиза молекул. Тип решения, характерный для реального эксперимента, определен из условия сегрегационного накопления атомовGe на поверхности роста пленки Si1-xGex. На основании проведенного численного анализа в зависимости от ростовой температуры получена оценка скорости распада моногидридов на ростовой поверхности и значений коэффициентов встраивания адатомов Si иGe в кристалл. Для моносилана оценка характерного времени распада в условиях ростовых температур 450-700oC соответствует величине 3-4 с, для моногермана--- порядка2 с. PACS: 68.35.-p, 82.30.Fi, 82.20.Wt
Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален