Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2007-00-00 ОрганизацияИнститут физики полупроводников им. В.Е.Лашкарева Национальной академии наук Украины, 03028 Киев, Украина + Department of Physics, University of Arkansas, Fayetteville, Arkansas, 72701 ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Латеральное упорядочение квантовых точек инитей вмногослойных структурах (In,Ga)As/GaAs (100)

Стрельчук В.В., Литвин П.М., Коломыс А.Ф., Валах М.Я., Mazur Yu.I., Wang Zh.M., Salamo G.J.

Стрельчук В.В., Литвин П.М., Коломыс А.Ф., Валах М.Я., Mazur Yu.I., Wang Zh.M., Salamo G.J. Латеральное упорядочение квантовых точек инитей вмногослойных структурах (In,Ga)As/GaAs (100) // ФТП, 2007, том 41, выпуск 1, Стр. 74

Аннотация Исследованы морфология поверхности и оптические свойства многослойных структур (In,Ga)As/GaAs (100) с самоорганизованными квантовыми точками и квантовыми нитями, выращенных методом молекулярно-пучковой эпитаксии. Обнаружено, что упорядоченное расположение квантовых точек в плоскости гетерограницы начинает формироваться при выращивании первых периодов многослойной структуры. При увеличении количества периодов наблюдается выстраивание квантовых точек в ряды и формирование нитей вдоль направления[0 1 1]. Повышение латеральной упорядоченности рассматриваемых структур коррелирует с увеличением оптической анизотропии излучения, обусловленной анизотропией релаксации упругих деформаций и формой нанообъектов. Обсуждается возможный механизм латерального упорядочения квантовых точек и нитей в многослойных структурах, включающий как эффекты анизотропии полей деформаций и диффузии адатомов, так и упругое взаимодействие соседних квантовых точек. PACS: 68.65.Hb, 68.65.La, 78.67.Hc, 78.67.Lt, 78.55.Cr