Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2007-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Нестабильность характеристик SiC-детекторов, подвергнутых экстремальному воздействию ядерных частиц

Иванов А.М., Строкан Н.Б., Богданова Е.В., Лебедев А.А.

Иванов А.М., Строкан Н.Б., Богданова Е.В., Лебедев А.А. Нестабильность характеристик SiC-детекторов, подвергнутых экстремальному воздействию ядерных частиц // ФТП, 2007, том 41, выпуск 1, Стр. 117

Аннотация Изучались особенности работы детекторов, подвергнутых облучению протонами с энергией8 МэВ и дозой 3· 1014 см-2. Детекторы были выполнены на базе современных CVD-пленок 4H-SiC n-типа проводимости, имеющих концентрацию нескомпенсированных доноров ~ 2· 1014 см-3 при толщине55 мкм. Высокая концентрация первично введенных дефектов (~ 2· 1017 см-3) обусловила глубокую компенсацию проводимости пленки. Обнаружена нестабильность во времени основных характеристик детекторов--- амплитуды импульса и разрешающей способности. Эффект связан с долговременным захватом неравновесных носителей на радиационные центры и, как следствие, возникновением в объеме детектора эдс поляризации. Проанализирована кинетика установления стационарных значений указанных выше величин. PACS: 61.80.-x, 61.82.Fk, 61.82.-d, 72.20.Jv