Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2007-00-00 ОрганизацияМосковский государственный университет им.М.В.Ломоносова (физический факультет), 119992 Москва, Россия &#36; Московский государственный университет им.М.В.Ломоносова (факультет наук о материалах), 119992 Москва, Россия * Институт проблем материаловеде ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Резонансный уровень галлия в сплавах Pb1-xSnxTe поддавлением

Скипетров Е.П., Голубев А.В., Слынько В.Е.

Скипетров Е.П., Голубев А.В., Слынько В.Е. Резонансный уровень галлия в сплавах Pb1-xSnxTe поддавлением // ФТП, 2007, том 41, выпуск 2, Стр. 149

Аннотация Исследовано влияние давления на электрофизические свойства сплава n-Pb1-xSnxTe (x=0.21), легированного галлием. Обнаружены уменьшение концентрации свободных электронов с ростом температуры и увеличение концентрации при увеличении давления, свидетельствующие о стабилизации уровня Ферми резонансным уровнем галлия. Врамках двухзонного закона дисперсии Кейна по экспериментальным данным рассчитаны зависимости концентрации электронов и энергии Ферми от давления. Предложена диаграмма перестройки энергетического спектра носителей заряда в Pb1-xSnxTe : Ga под давлением, и определена скорость движения резонансного уровня галлия относительно середины запрещенной зоны под действием давления. PACS: 71.20.Nr, 71.55.-i, 72.20.My