Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2007-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Переход отразъединенного гетероперехода IIтипа кступенчатому всистеме GaInAsSb/InAs(GaSb)

Михайлова М.П., Моисеев К.Д., Воронина Т.И., Лагунова Т.С., Яковлев Ю.П.

Михайлова М.П., Моисеев К.Д., Воронина Т.И., Лагунова Т.С., Яковлев Ю.П. Переход отразъединенного гетероперехода IIтипа кступенчатому всистеме GaInAsSb/InAs(GaSb) // ФТП, 2007, том 41, выпуск 2, Стр. 166

Аннотация Рассмотрены условия перехода от ступенчатого к разъединенному гетеропереходу IIтипа для одиночных гетероструктур Ga1-xInxAsySb1-y/InAs(GaSb) в зависимости от состава четверного твердого раствора. Оценены зонные диаграммы таких гетеропереходов и определены величины энергетического разрыва зонDelta на гетерогранице. Экспериментально установлено, что для структуры Ga1-xInxAsySb1-y/p-InAs разъединенный тип гетероперехода IIтипа наблюдается во всем интервале исследуемых составов, 0.03