Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2007-00-00 Организация* Институт физики микроструктур Российской академии наук, 603950, ГСП-105 Нижний Новгород, Россия + Нижегородский государственный университет им. Н.И.Лобачевского, 603950 Нижний Новгород, Россия Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегор ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Влияние напряженного Si-слоя нафотолюминесценцию Ge(Si) самоформирующихся островков, выращенных нарелаксированных SiGe/Si(001)-буферных слоях

Шалеев М.В., Новиков А.В., Яблонский А.Н., Кузнецов О.А., Дроздов Ю.Н., Красильник З.Ф.

Шалеев М.В., Новиков А.В., Яблонский А.Н., Кузнецов О.А., Дроздов Ю.Н., Красильник З.Ф. Влияние напряженного Si-слоя нафотолюминесценцию Ge(Si) самоформирующихся островков, выращенных нарелаксированных SiGe/Si(001)-буферных слоях // ФТП, 2007, том 41, выпуск 2, Стр. 172

Аннотация Представлены результаты исследований фотолюминесценции структур с Ge(Si)-самоформирующимися островками, встроенными в напряженный Si-слой. Структуры были выращены на гладких релаксированных Si1-xGex/Si(001) (x=20-30%) буферных слоях. Обнаруженный в спектрах фотолюминесценции исследованных структур пик фотолюминесценции связывается с непрямым в реальном пространстве оптическим переходом между дырками, локализованными в Ge(Si)-островках, и электронами, локализованными в напряженных Si-поляx над и под островком. Продемонстрирована возможность эффективного управления положением пика фотолюминесценции от данного типа структур путем изменения толщин напряженных Si-слоев. Обнаружено, что при 77 K интенсивность сигнала фотолюминесценции от гетероструктур с Ge(Si)-cамоформирующимися островками, заключенными между напряженными Si-слоями, на порядок превосходит интенсивность сигнала фотолюминесценции от структур Ge(Si) c островками, сформированными на Si(001)-подложках. PACS: 81.07.Ta, 78.55.--m, 78.67.Hc, 71.20.Nr, 68.37.Ps, 81.15.Hi