Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2007-00-00 ОрганизацияИнститут физики полупроводников им.В.Е.Лашкарева Национальной академии наук Украины, 03028 Киев, Украина ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Фотолюминесценция германиевых квантовых точек, сформированных импульсным лазерным осаждением

Каганович Э.Б., Манойлов Э.Г., Бегун Е.В.

Каганович Э.Б., Манойлов Э.Г., Бегун Е.В. Фотолюминесценция германиевых квантовых точек, сформированных импульсным лазерным осаждением // ФТП, 2007, том 41, выпуск 2, Стр. 177

Аннотация Проведены измерения фотолюминесценции с временным разрешением в диапазонах энергий 1.4-3.2 эВ и времен релаксации50 нс-20 мкс в пленках GeOx (x=<q 2), содержащих нанокристаллыGe. Пленки получали одностадийным методом импульсного лазерного осаждения из прямого и обратного потока частиц эрозионного факела в атмосфере кислорода и аргона. Исследована зависимость фотолюминесцентных свойств пленок от режимов осаждения и легирования золотом. Полосы фотолюминесценции с максимумами при энергиях 1.42-2.1 эВ--- узкие, медленные, энергетически близко расположенные, в то время как полосы с максимумами около 2.5 и 2.7-2.9 эВ--- широкие, более быстрые, энергетически мало перекрывающиеся. Результаты объяснены в рамках экситонной модели фотолюминесценции квантовых точекGe, размеры которых определяются условиями их формирования. PACS: 78.55.Hx, 78.67.Bf, 81.07.Ta, 81.15.Fg, 81.16.Mk, 81.40.Tv