Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:
Опубликовать в блог:
Опубликовано 2007-00-00 ОрганизацияИнститут физики твердого тела Российской академии наук, 142432 Черноголовка, Россия * Институт проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук, 142432 Черноголовка, Россия + Universite P. etM.Curie, Case80, 4Place Jussieu, 75252 PARIS CEDEX05 ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"


Люминесценция наностержней оксида цинка
Емельченко Г.А., Грузинцев А.Н., Кулаков А.Б., Самаров Э.Н., Карпов И.А., Редькин А.Н., Якимов Е.Е., Barthou C.
Емельченко Г.А., Грузинцев А.Н., Кулаков А.Б., Самаров Э.Н., Карпов И.А., Редькин А.Н., Якимов Е.Е., Barthou C. Люминесценция наностержней оксида цинка // ФТП, 2007, том 41, выпуск 2, Стр. 182
Аннотация Исследованы спектры спонтанного и стимулированного излучения наностержней ZnO, выращенных двумя низкотемпературными методами. Стимулированное излучение при385 нм наблюдали при комнатной температуре для нанокристаллов ZnO, выращенных методом CVD, при накачке азотным лазером с длиной волны 337 нм. Пороговая плотность мощности накачки для лазерного процесса рекомбинации экситонов составила ~600 кВт/см2. PACS: 78.45.+h, 78.55.Cr, 78.67.Bf
Ключевые слова публикации:
     

Комментарии

Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален