Профиль » Публикация
Опубликовано
2007-00-00
Организация* Новосибирский государственный университет, 630090 Новосибирск, Россия + Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, 630090 Новосибирск, Россия
ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"
Свойства двумерного электронного газа вгетеропереходах AlGaAs/GaAs стонкими слоямиAlGaAs
Козлов Д.А., Квон З.Д., Калагин А.К., Торопов А.И. Свойства двумерного электронного газа вгетеропереходах AlGaAs/GaAs стонкими слоямиAlGaAs // ФТП, 2007, том 41, выпуск 2, Стр. 186
Аннотация
Изучены транспортные свойства двумерного электронного газа, расположенного на малом расстоянии (15-32.5 нм) от поверхности в гетеропереходе AlGaAs/GaAs. Обнаружены сильное влияние поверхности на поведение проводимости двумерного электронного газа, а также эффект экранирования металлическим затвором рассеяния двумерных электронов на заряженных центрах. PACS: 73.23.-b, 73.40
Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален