Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2007-00-00 ОрганизацияИнститут физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, 630090 Новосибирск, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Механизм воздействия электрического поля поверхностной акустической волны накинетику низкотемпературной фотолюминесценции сверхрешеток второго родаGaAs/AlAs

Гуляев Д.В., Журавлев К.С.

Гуляев Д.В., Журавлев К.С. Механизм воздействия электрического поля поверхностной акустической волны накинетику низкотемпературной фотолюминесценции сверхрешеток второго родаGaAs/AlAs // ФТП, 2007, том 41, выпуск 2, Стр. 211

Аннотация Проведено экспериментальное исследование кинетики низкотемпературной фотолюминесценции сверхрешеток второго рода GaAs/AlAs под действием электрического поля поверхностной акустической волны. Обнаружено, что приложение электрического поля приводит к ускорению кинетики фотолюминесценции свободных и локализованных экситонов и фононных повторений, не зависящему от длительности импульса прикладываемого электрического поля. Анализ экспериментальных зависимостей показал, что ускорение кинетики фотолюминесценции связано с транспортом экситонов к центрам безызлучательной рекомбинации, инициированным взаимодействием экситонов с горячими свободными носителями заряда, выброшенными с локализованных состояний. PACS: 61.82.Fk, 68.65.Cd, 73.50.Gr