Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2007-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им.А.Ф.Иоффе Российской академии наук, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Управление временем жизни носителей заряда ввысоковольтных p-i-n-диодах на основе гетероструктур InxGa1-xAs/GaAs

Солдатенков Ф.Ю., Данильченко В.Г., Корольков В.И.

Солдатенков Ф.Ю., Данильченко В.Г., Корольков В.И. Управление временем жизни носителей заряда ввысоковольтных p-i-n-диодах на основе гетероструктур InxGa1-xAs/GaAs // ФТП, 2007, том 41, выпуск 2, Стр. 217

Аннотация На примере гетероструктур InGaAs/GaAs изучена возможность управления эффективным временем жизни неравновесных носителей заряда посредством контролируемого рассогласования по параметру решетки сопрягаемых материалов гетероструктуры. Установлена связь между соотношением толщины и состава слабо легированных слоев твердого раствора InGaAs и временем жизни неравновесных носителей заряда, что позволяет управлять временем жизни неравновесных носителей заряда в пределах от единиц наносекунд до микросекунды без существенного изменения концентрации подвижных носителей заряда. На основе проведенных исследований изготовлены импульсные p+-p0-pi-n0-n+-диоды, блокирующие напряжения до500 В, коммутирующие токи >~= 10 A при временах переключения, не превышающих10 нс. PACS: 68.55.Ln, 68.55.Nq, 73.40.Kp, 73.50.Gr, 81.05.Ea, 81.15.Gh, 84.30.Jc, 85.30.De, 85.30.Kk