Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2007-00-00 ОрганизацияИнститут радиотехники и электроники Российской академии наук, 141190 Фрязино, Россия * ГУП НПП &#92;glqq Пульсар&#92;grqq, Москва, Россия + Solid State Electronics Department, Gerhard-Mercator-University, 47057 Duisburg, Germany ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Последовательный механизм транспорта электронов врезонансно-туннельном диоде столстыми барьерами

Алкеев Н.В., Аверин С.В., Дорофеев А.А., Velling P., Khorenko E., Prost W., Tegude F.J.

Алкеев Н.В., Аверин С.В., Дорофеев А.А., Velling P., Khorenko E., Prost W., Tegude F.J. Последовательный механизм транспорта электронов врезонансно-туннельном диоде столстыми барьерами // ФТП, 2007, том 41, выпуск 2, Стр. 233

Аннотация Анализ частотной зависимости импенданса резонансно-туннельного диода на основе InGaAs/InAlAs с шириной ямы 5 нм и барьерами толщиной 5 нм в диапазоне частот 0.1-50 ГГц показал, что механизм транспорта в таком диоде в основном последовательный, а не когерентный, что совпадает с проведенными оценками. Обсуждается возможность определения долей когерентного и последовательного механизма транспорта электронов через резонансно-туннельный диод по частотной зависимости его импенданса. PACS: 73.40.Gk, 85.30.Mn