Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2007-00-00 Организация+ Институт физики микроструктур Российской академии наук, 603950 Нижний Новгород, Россия * Group d'Etude de Semiconducteurs, CNRS--- Universite Montpellier 2 Place E.Bataillon 34950 Montpellier, France ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Электронный транспорт и детектирование терагерцового излучения всубмикрометровом полевом транзисторе GaN/AlGaN

Гавриленко В.И., Демидов Е.В., Маремьянин К.В., Морозов С.В., Knap W., Lusakowski J.

Гавриленко В.И., Демидов Е.В., Маремьянин К.В., Морозов С.В., Knap W., Lusakowski J. Электронный транспорт и детектирование терагерцового излучения всубмикрометровом полевом транзисторе GaN/AlGaN // ФТП, 2007, том 41, выпуск 2, Стр. 238

Аннотация Исследованы электронный транспорт и фотоотклик в терагерцовом диапазоне в полевом транзисторе GaN/AlGaN с субмикрометровым затвором (0.25 мкм) с двумерным электронным газом в канале (концентрация электронов ns~ 5·1012 см-2) при4.2 K. Подвижность носителей заряда в канале транзистора определялась по зависимости проводимости от магнитного поля и составила mu~3500 см2/В·с. Обнаружено, что зависимость фотоэдс на частоте излучения f=574 ГГц от напряжения на затворе (т. е. от концентрации двумерных электронов) имеет характерный максимум, что связывается с резонансным откликом в подзатворной плазме транзистора. PACS:61.82.Fk, 68.65.Fg, 71.10.Ca