Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2007-00-00 ОрганизацияИнститут проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, 142432 Черноголовка, Россия * ОАО &lt;&lt; Московский завод &#92;glqq Сапфир&#92;grqq&gt;&gt;, 117545 Москва, Россия ЖурналЖурнал "Физика и Техника Полупроводников"

Исследование резистивных фоточувствительных элементов наоснове HgCdTe методом наведенного тока

Вергелес П.С., Крапухин В.В., Якимов Е.Б.

Вергелес П.С., Крапухин В.В., Якимов Е.Б. Исследование резистивных фоточувствительных элементов наоснове HgCdTe методом наведенного тока // ФТП, 2007, том 41, выпуск 2, Стр. 242

Аннотация Методом наведенного тока в растровом электронном микроскопе исследованы фоточувствительные резистивные элементы на основе HgCdTe, фоточувствительность которых понизилась в результате длительной эксплуатации. Показано, что процессы деградации в таких элементах связаны с появлением вблизи контактов областей с пониженной чувствительностью. Проведено моделировние распределения наведенного тока для таких неоднородных элементов. Показано, что сравнение измеренных и рассчитанных распределений сигнала наведенного тока позволяет выявлять наиболее вероятные причины неоднородного понижения чувствительности. Проведенное сравнение показало, что наиболее вероятной причиной понижения чувствительности в исследованных элементах является повышение концентрации доноров в приконтактных областях. PACS: 71.20.Nr, 71.55.Eq, 72.20.Jv