Профиль » Публикация
Опубликовано
2007-00-00
ОрганизацияМИФИ
ЖурналНаучная сессия МИФИ-2007. Т.1 Автоматика. Микроэлектроника. Электроника. Электронные измерительные системы. Компьютерные медицинские системы
Исследование влияния поля встроенного заряда на токовую утечку в кнс структурах при дозовом воздействии
Давыдов Г.г. Исследование влияния поля встроенного заряда на токовую утечку в кнс структурах при дозовом воздействии // Научная сессия МИФИ-2007. Т.1 Автоматика. Микроэлектроника. Электроника. Электронные измерительные системы. Компьютерные медицинские системы, стр. 181-183
Аннотация
Проведено исследование влияния поля радиационно-индуцированного заряда на изменение тока утечки КНС полосков при дозовом воздействии.
http://library.mephi.ru/data/scientific-sessions/2007/t1/2-1-29.doc
Показать статистику Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален
