Игорь Коровченко » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2008-09-21 Опубликовано на SciPeople2009-10-29 09:22:40 ЖурналФизика и технические приложения волновых процессов : VII Междунар. науч.-техн. конф., посвящ. 150-летию со дня рождения А.С. Попова, 15 - 21 сент. 2008 г. : тез. конф.

Влияние концентрации хрома в полуизолирующей подложке ПТШ на время восстановления при воздействии импульсной помехи (Chrome concentration in MESFET substrate effect on relaxation time under exposure of pulse interference )

А.М.Бобрешов, И.С.Коровченко, Ю.Ю.Разуваев, Г.К.Усков, Д.А.Шацкий / Игорь Коровченко

Аннотация В работе рассмотрено моделирование работы транзистора при импульсной перегрузке и влияние концентрации глубоких уровней на нее.

Ключевые слова публикации:
ПТШ глубокие уровни импульсные электроперегрузки полуизолирующая подложка моделирование

Показать статистику

Похожие публикации

Моделирование деградационных процессов в полевом транзисторе под воздейстием импульсных помех большой амплитуды (Modeling the process of degardation of GaAs MESFET`s under exposure of pulses whith big amplitude)
Экспериментальное исследование обратимой деградации GaAs ПТШ под воздействием импульсных перегрузок (Investigation of recoverable degradation of GaAs MESFET`s under exposure of pulse overloads)
Моделирование обратимой деградации тока стока полевых транзисторов с затвором шотки под действием серии видеоимпульсов отрицательной полярности.(Modeling of recoverable degradation of GaAs MESFET`s under exposure of series of periodic ultra short pulses)
Динамический диапазон по блокированию усилителя на GaAs ПТШ при гармонических и импульсных помехах
Рецензия на книгу: С.А. Остроумов. Биологические эффекты при воздействии поверхностно-активных веществ на организмы. М.: МАКС-Пресс.

Комментарии

Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования

Этот комментарий был удален

Этот комментарий был удален