Сложные системы и процессы » Архив номеров » № 1(15), 2009 » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2009-06-00 Опубликовано на SciPeople2009-11-12 13:23:54 ЖурналСложные системы и процессы

Компьютерное моделирование первичных ростовых микродефектов в бездислокационных монокристаллах кремния

Таланин В.И., Таланин И.Е., Максимчук М.Л. / Владимир Бахрушин

Аннотация Представлена математическая модель и алгоритм расчета для процесса образования первичных ростовых микродефектов в бездислокационном монокристалле кремния на основе диссоциативного процесса диффузии.

Ключевые слова публикации:
РОСТОВЫЕ МИКРОДЕФЕКТЫ БЕЗДИСЛОКАЦИОННЫЙ МОНОКРИСТАЛЛ КРЕМНИЯ ПЕРВИЧНЫЕ РОСТОВЫЕ ДЕФЕКТЫ ГЕТЕРОГЕННЫЙ МЕХАНИЗМ ДЕФЕКТООБРАЗОВАНИЯ.

I15Tal.pdf 233 Kb

Показать статистику

Похожие публикации

Гетерогенная диффузионная модель образования ростовых микродефектов в бездислокационных монокристаллах кремния // Сложные системы и процессы.
Сопряженное моделирование тепловых процессов и дефектообразования при выращивании бездислокационных монокристаллов кремния // Conjugated modeling of thermal processes and defect formation at dislocation – free silicon single crystals growing
Кинетическая модель образования преципитатов кислорода и углерода во время охлаждения бездислокационных монокристаллов кремния после выращивания // Kinetic model of oxygen and carbon precipitates formation in dislocation free silicon single crystals after growth
Роль примесей в процессах формирования микродефектов в полупроводниковом кремнии
Полная адентия: выбор варианта лечения на основе компьютерного моделирования

Комментарии

Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования

Этот комментарий был удален

Этот комментарий был удален