Александр Мозжерин » Публикация

Поделиться публикацией:
Опубликовать в блог:
Опубликовано 2009-12-22 Опубликовано на SciPeople2010-02-06 04:58:32 ЖурналВестник Сибирского государственного аэрокосмического университета


Влияние режимов роста монокристалов на перенос и накопление примесных атомов в растушем кристалле
Ю.Ю. Логинов, В.М. Ленченко, А.В. Мозжерин / Александр Мозжерин
Логинов Ю.Ю., Ленченко В.М., Мозжерин А.В. Влияние режимов роста монокристаллов на перенос и накопление примесных атомов в растущем кристалле // Вестн. Сиб. гос. аэрокосмич. ун-та им. акад. М.Ф.Решетнева. 2009, вып. 4(25). - С.120-124.
Аннотация Потоки примесных атомов (ПА) на каждом из участков 0 < х < l системы «расплав – растущий кристалл» представлены в виде выражения j~aC(0)-bC(l) , в котором а и b определены через скорости переноса ПА(конвективную – uс, дрейфовую – ud и термодиффузионную – uи) соответственно в расплаве – (аl, bl), в кристалле – (аs, bs), а также на границе раздела фаз – (аsl, bsl). Из условия квазистационарности процесса роста найдены коэффициенты распределения концентраций ПА на каждом из участков и определен общий коэффициент распределения ПА между объемом расплава и охлаждаемой частью растущего слитка . Полученное выражение для К позволяет анализировать влияние режимов роста (скорости вытягивания слитка – uс, градиента темпе- ратур (через uq) и силовых полей (через ud)) на перенос и накопление ПА в растущем кристалле.
Ключевые слова публикации:
       

Комментарии

Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален