Сложные системы и процессы » Архив номеров » № 2(16), 2009 » Публикация
Страницы10 - 15
Опубликовано
2010-09-07
Опубликовано на SciPeople2010-09-07 10:39:02
ЖурналСложные системы и процессы
Отримання нано- та мікрокристалів напівпровідників // Preparation of semiconductor nano- and microcrystals
Аннотация
Разработана воспроизводимая технология выращивания вискеров таких полупроводников как: Si, Ge, GaAs, InAs и InSb методом химических транспортных реакций в галогенидной системе. Показано, что воспроизводимых результатов можно достичь только поэтапной технологией. Ее основными элементами являются: (і) формирование кластеров нанопроволок в кинетическом режиме по механизму “пар - жидкость - кристалл”; (іі) создание технологических условий для конкурирующего роста нанопроволок путем оствальдового созревания; (ііі) эпитаксиальное наращивание нанопроволок до размеров вискеров в диффузионном режиме. Предложена модель, обосновывающая необходимость поэтапного технологического режима получения вискеров. // Renewable technology of whiskers of such semiconductors as Si, Ge, GaAs, InAs and InSb with chemical transport reactions technique at halogenide system is developed. The model, which grounds a necessity of step-by-step technological regime of whiskers formation, is proposed.
Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален