Сложные системы и процессы » Архив номеров » № 2(16), 2009 » Публикация

Поделиться публикацией:
Опубликовать в блог:
Страницы36 - 45 Опубликовано 2010-09-07 Опубликовано на SciPeople2010-09-07 10:49:13 ЖурналСложные системы и процессы


Рентгенодифракционная диагностика сильнолегированных монокристаллов полупроводников // X-ray diffraction diagnostics of heavily doped semiconductor single crystals
Шульпина И.Л., Кютт Р.Н., Ратников В.В., Прохоров И.А., Безбах И.Ж., Щеглов М.П. / Владимир Бахрушин
Аннотация На примере монокристаллов Si(As,P,B) и GaSb(Si) показаны возможности рентгенодифракционной диагностики сильнолегированных кристаллов полупроводников в отношении характеризации состояния примеси – находится ли она в виде твердого раствора или на разных стадиях его распада. Найдено оптимальное сочетание методов для получения информации о микросегрегации и структурной неоднородности в кристаллах со слабым и сильным поглощением рентгеновских лучей. Основой являются более чувствительные, чем традиционно используемые методы рентгеновской дифракционной топографии и дифрактометрии. // Using Si(As, P, B) and GaSb(Si) single crystals the possibilities of X-ray diffraction techniques for diagnostics of heavily doped semiconductor crystals in characterization of impurity state – whether it is in the crystals in the form of solid solution or under various stages of its decomposition - are shown. The best combination of techniques for receiving information about the microsegregation and structural inhomogeneity in the crystals with slight and strong absorption of X-rays has been found. The more sensitive methods of X-ray diffraction topography and diffractometry than traditionally used ones form a basis for this combination.

Комментарии

Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален