Публикация

Поделиться публикацией:

Страницы66 - 77 Опубликовано 2010-09-07 Опубликовано на SciPeople2010-09-07 11:01:20 ЖурналСложные системы и процессы

Сопряженное моделирование тепловых процессов и дефектообразования при выращивании бездислокационных монокристаллов кремния // Conjugated modeling of thermal processes and defect formation at dislocation – free silicon single crystals growing

Простомолотов А.И. / Владимир Бахрушин

Аннотация Актуальной прикладной проблемой механики является изучение закономерностей образования микродефектов в бездислокационных монокристаллах кремния большого диаметра как на стадии их выращивания, так и при последующих термообработках вырезаемых из них пластин. Это требует детального изучения сопряженных теплофизических процессов в тепловых узлах промышленных ростовых установок. С учетом тепловой истории и напряженного состояния монокристалла рассчитываются процессы переноса и рекомбинации собственных точечных дефектов и их последующая агломерация в микродефекты. // An actual applied problem of mechanics is studying of micro-defect formation in large diameter dislocation – free silicon single crystals both during its growing, and at the subsequent thermal annealing of produced wafers. It demands the detailed studying conjugated thermo-physical processes in hot zones of industrial growth furnaces. The transport and recombination processes of intrinsic point defects and its subsequent agglomeration in micro-defects are calculated with taking into account of a thermal history and strained state of single crystal.