Антон Глотов » Публикация
Поделиться публикацией:
Опубликовано
2009-01-22
Опубликовано на SciPeople2010-10-08 16:18:40
ЖурналВестник Воронежского государственного университета
Влияние буферного пористого слоя GaAs и легирования диспрозием в гетероструктурах GaInP:Dy/por-GaAs/GaAs(100)
Вестник ВГУ, Серия: Физика, Математика. – 2008. – №1. – стр 88-92.
Аннотация
В структурах с буферным пористым слоем остаточные внутренние напряжения, вызванные рассогласо-
ванием параметров кристаллических решеток эпитаксиального твердого раствора GaInP и подложки GaAs,
перераспределяются в пористый слой, который играет роль буфера и способствует исчезновению внутренних
напряжений. Аналогичные воздействия на внутренние напряжения в структуре пленка–подложка оказывает
легирование эпитаксиального слоя диспрозием.
Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален