Александр Владимирович Мозжерин

б/с, м.н.с.    /    Россия, Красноярск

Коллеги:

Пользователь не указал коллег в данное время
Пожалуйста, напишите здесь информацию о себе

Сфера научных интересов

Публикации

Влияние режимов роста монокристалов на перенос и накопление примесных атомов в растушем кристалле

Ю.Ю. Логинов, В.М. Ленченко, А.В. Мозжерин
Потоки примесных атомов (ПА) на каждом из участков 0 < х < l системы «расплав – растущий кристалл» представлены в виде выражения j~aC(0)-bC(l) , в котором а и b определены через скорости переноса ПА(конвективную – uс, дрейфовую – ud и термодиффузионную – uи) соответственно в расплаве –...
Логинов Ю.Ю., Ленченко В.М., Мозжерин А.В. Влияние режимов роста монокристаллов на перенос и...

Электронно-микроскопические исследования гетероэпитаксиальных наноструктур солнечных элементов

Ю.Ю. Логинов, А.В. Мозжерин
С помощью высокоразрешающей электронной микроскопии исследованы гетероструктуры {001}CdZnTe:CdTe/CdZnTe, выращенные методом электронно-лучевой эпитаксии на подложках {001}GaAs
Логинов Ю.Ю., Мозжерин А.В. Электронно-микроскопические исследования гетероэпитаксиальных...

Электронно-микроскопические исследования процессов дефектообразования в основных полупроводниковых материалах

А.В. Мозжерин, Ю.Ю. Логинов
Исследуются структурные дефекты в кремнии, германии и полупроводниковых материалах типа А2В6
Мозжерин А.В., Логинов Ю.Ю. Электронно-микроскопические исследования процессов дефектообразования...
другие публикации »

Образование

Профессиональный опыт