Антон Валерьевич Глотов

Ph.D in Physics, Leading Research Scientist / Россия, Воронеж

Leading Research Scientist, Ph.D

ELTON JSC - asymmetrical electrochemical capacitors Лаборатория: Structural & Optical carbon nanoparticles research

Пользователь запретил просмотр личной информации

Forefront of research, exploration, development and use of solid state physics of nano and micro structures and particles in multifunctional devices and installations.

Научные интересы

Физика

Научные исследования нано- и микрообъектов в области физики конденсированного состояния с использованием многофункционального исследовательского оборудования Гибридные электродные материалы на основе наноструктурных элементов Суперконденсаторы Электрохимические источники тока

Публикации

Structural Features And Surface Morphology Of Alxgayin1-X-Yaszp1-Z/Gaas(100) Heterostructures

P.V. Seredin, A.V. Glotov, E.P. Domashevskaya, I.N. Arsentyev, D.A. Vinokurov, I.S. Tarasov

Epitaxial metal-organic chemical vapor deposition (MOCVD) heterostructures on the basis of the five-component AlxGayIn1-x-yAszP1-z alloys (solid solutions) were grown in the range of compositions isoperiodic to GaAs. Using X-ray diffraction technique and atomic force microscopy it was shown that...

Raman investigation of low temperature AlGaAs/GaAs(100) heterostructures

A.V. Glotov, P.V. Seredin, E.P. Domashevskaya [et al.]

Method of Raman backscattering allowed one to study the substructure of epitaxial low temperature MOCVD AlGaAs/GaAs(1 0 0) heterostructures. It is shown that experimental data received during work correlate with results of the structural researches accomplished in the previous work. The...

Structural and optical investigations of AlxGa1-xAs:Si/GaAs(100) MOCVD heterostructures

A.V. Glotov, P.V. Seredin, E.P. Domashevskaya [et al.]

AlxGa1-xAs:Si/GaAs(1 0 0) heterostructure and homoepitaxial GaAs:Si/GaAs(1 0 0) structures grown by MOCVD were investigated. The changes observed in our experiments with highly doped AlxGa1-xAs alloys, led not only to the reconstruction of the electron density and formation of deep levels...

другие публикации »

Структурные и спектральные особенности МОС-гидридных твердых растворов AlxGayIn1-x-yAszP1-z/ GaAs(100)

П.В.Середин , А.В.Глотов, Э.П.Домашевская, А.С.Леньшин, М.С.Смирнов, И.Н.Арсентьев *, Д.А.Винокуров *, А.Л.Станкевич *, И.С.Тарасов *

Исследовались МОС-гидридные эпитаксиальные гетероструктуры на основе пятикомпонентных твердых растворов AlxGayIn1-x-yAszP1-z, выращенные в области составов...

Влияние кремния на релаксацию кристаллической решетки в гетероструктурах AlxGa1-xAs:Si/GaAs(100) , полученных МОС-гидридным методом

А.В. Глотов, П.В. Середин, Э.П. Домашевская [и др.]

Представлены данные рентгеновской дифракции и инфракрасной спектроскопии для полученных МОС-гидридным методом гетероструктур Alx Ga1−x As : Si/GaAs(100) и...

Неводные электролиты на основе ониевых и ионных жидкостей для электрохимических конденсаторов

М.Ю. Чайка, В.К. Агупов, А.В. Глотов [и др.]

Выполнен синтез ионных жидкостей, содержащих анион тетрафтороборной кислоты и четверичный аммониевый катион, включающий один заместитель с простой эфирной...

Raman and photoluminescence spectroscopy of lowtemperature heterostructures AlGaAs/GaAs(100)

E. P. Domashevskaya, P. V. Seredin, A. V. Glotov [et al.]

Methods of Raman backscattering and photoluminescence spectroscopy allowed to study substructure and luminescence of epitaxial low temperature MOCVD AlGaAs/GaAs (100) heterostructures. It is shown, that experimental data received during work correlate with results of the structural and optical...

Неводные электролиты на основе ониевых ионных жидкостей для электрохимических конденсаторов

А.В. Глотов, М.Ю. Чайка, В.С. Горшков [и др.]

В работе выполнен синтез ионных жидкостей, содержащих анион тетрафтороборной кислоты и четвертичный аммониевый катион, включающий один заместитель с простой...

Структурная неустойчивость твердых растворов GaxIn1-xAsyP1-y вследствие спинодального распада

А.В. Глотов, П.В. Середин, Э.П. Домашевская [и др.]

Методами рентгеноструктурного анализа и фотолюминесцентной спектроскопии показана возможность возникновения неоднородностей в жидкофазных эпитаксиальных...

Оптические свойства высоколегированных эпитаксиальных гетероструктур AlxGa1–xAs:Si/GaAs(100)

А.В. Глотов, П.В. Середин, Э.П. Домашевская [и др.]

Оптические свойства высоколегированных эпитаксиальных гетероструктур AlxGa1–xAs:Si/GaAs(100)

Structural and Optical Properties of Low Temperature Hydride MOCVD AlGaAs/GaAs(100) Heterostructures Based on Omission Solid Solutions

P. V. Seredin, A. V. Glotov, E. P. Domashevskaya, I. N. Arsentyev, D. A. Vinokurov, A. L. Stankevich, and I. S. Tarasov

X-ray diffraction, scanning electron microscopy, and IR reflectance spectroscopy were used to study properties of epitaxial low temperature hydride MOCVD AlGaAs/GaAs (100) heterostructures. It was found that the variation in the AlGaAs alloy lattice’s parameter with Al content does not obey the...

Role of the buffer porous layer and dysprosium doping in GaInP-porGaAs-GaAs heterostructures

E. P. Domashevskaya, P. V. Seredin, A. V. Glotov [et al.]

In the samples with porous buffer layer the residual internal stresses caused by the difference in lattice parameters between the surface layer of ternary GaInP alloy and GaAs substrate are redistributed into the porous layer, which in this case plays a role of a “sponge” and completely...

Formation of nanosized copper clusters in an ion-exchange matrix

A.B. Yaroslavtsev, T.A. Kravchenko, A.V. Glotov [et al.]

Synthesis and study of hybrid composite materials based on high molecular weight compounds with introduced nanosized inorganic additives is an important line of investigation in modern materials science. Polymer nanostructures control the growth of nanoparticles and their size distribution. In...

The substructure and luminescence of low-temperature AlGaAs/GaAs(100) heterostructures

A.V. Glotov, P.V. Seredin, E.P. Domashevskaya [et al.]

The substructure and luminescence of lowtemperature epitaxial AlGaAs alloys are studied by Raman spectroscopy and photoluminescence spectroscopy. It is shown that the experimental data obtained in the study are consistent with the results of the previous structural and optical study. The...

Формирование наноразмерных кластеров меди в ионообменной матрице

Т. А. Кравченко, М. Ю. Чайка, Е. В. Булавина, А. В. Глотов

Важными направлениями современного материаловедения становятся синтез и исследование гибридных композиционных материалов на основе высокомолекулярных...

Релаксация параметров кристаллической решетки и структурное упорядочение в эпитаксиальных твердых растворах InxGa1−xAs

А.В. Глотов, П.В. Середин, Э.П. Домашевская [и др.]

Методами рентгеновской дифракции и сканирующей электронной микроскопии исследованы эпитаксиальные гетероструктуры InxGa1−x As/GaAs(100), выращенные МОС-гидридным...

Фазообразование под воздействием спинодального распада в эпитаксиальных твердых растворах гетероструктур GaxIn1-xP/GaAs(100)

А.В. Глотов, П.В. Середин, Э.П. Домашевская [и др.]

Методами рентгеновской дифракции и электронной микроскопии изучено явление неустойчивости твердых растворов полупроводниковых эпитаксиальных гетероструктур...

Субструктура и люминесценция низкотемпературных гетероструктур AlGaAs/GaAs(100)

А.В. Глотов, П.В. Середин, Э.П. Домашевская [и др.]

Методами рамановского рассеяния и фотолюминесцентной спектроскопии изучены субструктура и люминесценция низкотемпературных эпитаксиальных твердых растворов...

Структурные и оптические свойства низкотемпературных МОС–гидридных гетероструктур AlGaAs/GaAs(100) на основе твердых растворов вычитания

А.В. Глотов, П.В. Середин, Э.П. Домашевская [и др.]

Методами рентгеновской дифракции, сканирующей электронной микроскопии и ИК-спектроскопии на отражение изучены свойства эпитаксиальных МОС-гидридных...

Phase formation under the effect of spinodal decomposition in epitaxial alloys of GaxIn1-xP/GaAs(100) heterostructures

E. P. Domashevskaya, P. V. Seredin, A. V. Glotov [et al.]

The effect of instability of alloys of GaxIn1 – xP/GaAs(100) semiconductor epitaxial heterostructures in the composition region x ≈ 0.50 is studied by Xray diffraction and electron microscopy. The possibility of emergence of modulated relaxation structures on the surface of a GaxIn1 – xP...

Влияние буферного пористого слоя GaAs и легирования диспрозием в гетероструктурах GaInP:Dy/por-GaAs/GaAs(100)

П.В. Середин, Домашевская Э.П, Гордиенко Н.Н, Глотов А.В., Журбина И.А., И.Н Арсентьев, М.В, Шишков

В структурах с буферным пористым слоем остаточные внутренние напряжения, вызванные рассогласо- ванием параметров кристаллических решеток эпитаксиального...

Образование

Профессиональный опыт

до н.в.

2012

Leading Research Scientist, Ph.D

ELTON JSC - asymmetrical electrochemical capacitors / Лаборатория: Structural & Optical carbon nanoparticles research

до 2012

2009

Post Doctoral Research Fellow, Supervising Engineer and Developer

Voronezh Specialised Design Bureau Laboratory

до 2011

2008

Post Graduate fellow, Doctorate degree research

Voronezh State University and Ioffe Physical and Technical Institute of Russian Academy of Sciences / Факультет: Physics / Кафедра: Solid State Physics & Nanostructures / Лаборатория: X-Ray diffraction, IR Spectroscopy, Scanning electron Microscopy

до 2008

2003

Student

Voronezh State University / Факультет: Physics / Кафедра: Solid State Physics & Nanostructures / Лаборатория: X-Ray diffraction, IR Spectroscopy, Scanning electron Microscopy

до 2008

2003

Student

Voronezh State University / Факультет: Linguistics / Кафедра: Transcultural and Communicational Linguistics

до 2008

2007

Interpreter and Translator, Public Relation Specialist

Pride TWL

Проекты и исследования

Electrochemical Supercapacitors

A new class of energy storage devices that fit the functional niche between regular capacitors and batteries. Electrochemical capacitors are able to quickly accumulate and deliver energy an order of magnitude higher than regular capacitors. In turn, compared to batteries, electrochemical capacitors have higher specific power and can last for over one million charge-discharge cycles. They do not...

Федеральная целевая программа «Научные и научно-педагогические кадры инновационной России» на 2009-2013 годы

«Проведение научных исследований молодыми учеными - кандидатами наук по следующим областям: физика конденсированных сред; физическое материаловедение; оптика; лазерная физика и лазерные технологии»

Премии и награды

As grant holder: - Federal Program "Research and educational personnel of innovative Russia" for 2009-2013, Project 2010-1.3.1-121-018-030. Co-researcher: - Russian Foundation for Basic Research, Project 09-02-97505-r_center_a. - Russian President Grant, Project MK-736.2011.2 - Federal Program " Research and educational personnel of innovative Russia" for 2009-2013, Project 2010-1.3.2-121-018-016. - 2013

Информация профиля

Антон Валерьевич Глотов

Leading Research Scientist, Ph.D

Научные интересы

Образование

Специалист

К.ф.-м.н.

Специалист

Специалист

Профессиональный опыт

Проекты и исследования

Премии и награды