Андрей Одринский » Публикация
Поделиться публикацией:
Опубликовано
2014-05-08
Опубликовано на SciPeople2014-05-08 21:53:13
ЖурналФизика твердого тела
Фотоэлектрическая активность структурных дефектов монокристалла сегнетоэлектрика-полупроводника TlInS2:La.
Аннотация
Фотоэлектрическая релаксационная спектроскопия (PICTS) использована при изучении глубокоуровневых дефектов сегнетоэлектрика - полупроводника TlInS2. Сравниваются особенности их регистрации в легированном лантаном и нелегированном монокристаллах. Предложено объяснение снижения фотоэлектрической активности дефектов в легированном образце.
http://journals.ioffe.ru/ftt/2014/08/page-1554.html.ru
http://journals.ioffe.ru/ftt/2014/08/p1554-1558.pdf
Показать статистику 
