Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 2001-00-00 ЖурналВычислительные методы и программирование

Численное моделирование задачи динамики роста пленки окисла в полупроводниковых подложках на основе геометрического подхода и метода Дила-Гроува

Александров А.Л., Тарнавский Г.А., Шпак С.И., Гулидов А.И., Обрехт М.С.

Александров А.Л., Тарнавский Г.А., Шпак С.И., Гулидов А.И., Обрехт М.С. Численное моделирование задачи динамики роста пленки окисла в полупроводниковых подложках на основе геометрического подхода и метода Дила-Гроува // Вычислительные методы и программирование.- 2001.- Т.2.- C.92-111.

Аннотация Разработана идеология приближенного моделирования динамики роста пленки окисла в полупроводниковых подложках, в которой на основе геометрического подхода проведено расширение 1-D метода Дила-Гроува на 2-D класс задач. Приводятся примеры расчетов роста подобласти двуокиси кремния SiO2 при его окислении в различных средах (O2 или H2O) и динамики границ SiO2/Si и SiO2/окислитель в широком диапазоне определяющих параметров и позиций нитридных масок, закрывающих часть поверхности кремния.