Профиль » Публикация
Опубликовано
2005-01-26
ОрганизацияФГОУ ВПО «Астраханский государственный технический университет»
ЖурналЭлектронный журнал "Исследовано в России"
Математическое моделирование микроэлектронных частотных датчиков давления
Шикульский М.И. Математическое моделирование микроэлектронных частотных датчиков давления
// Электронный журнал "Исследовано в России", 8, 1810-1814, 2005. http://zhurnal.ape.relarn.ru/articles/2005/175.pdf
Аннотация
Предлагается решение задачи поэтапного математического моделирования микроэлектронных резонаторных датчиков давления. Разработаны математические модели расчета напряжений в плоской мембране и диафрагме. Введены новые понятия в теорию ЭИМЦ и разработана модель резонаторного датчика давления.
http://zhurnal.ape.relarn.ru/articles/2005/175.pdf
Показать статистику Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален
