Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:
Опубликовать в блог:
Опубликовано 1996-11-25 ЖурналПисьма в ЖЭТФ


Обменные взаимодействия экситонов, локализованных на противоположных интерфейсах в сверхрешетках GaAs/AlAs типа II: ОДМР и антикроссинг уровней
Баранов П.Г., Романов Н.Г., Хофштеттер А., Шарманн А., Шнорр К., Алерс Ф.Й., Пирц К.
Баранов П.Г., Романов Н.Г., Хофштеттер А., Шарманн А., Шнорр К., Алерс Ф.Й., Пирц К.. Обменные взаимодействия экситонов, локализованных на противоположных интерфейсах в сверхрешетках GaAs/AlAs типа II: ОДМР и антикроссинг уровней // Письма в ЖЭТФ, том 64, вып. 10, http://www.jetpletters.ac.ru
Аннотация
 http://www.jetpletters.ac.ru/ps/985/article_15002.pdf
Показать статистику
Похожие публикации

Комментарии

Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален