Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:
Опубликовать в блог:
Опубликовано 2002-06-10 ОрганизацияИнститут проблем химической физики РАН, 142432 Черноголовка, Московская обл., Россия Институт физики твердого тела РАН, 142432 Черноголовка, Московская обл., Россия ЖурналПисьма в ЖЭТФ


Электропроводность кристаллов фуллерена С60 при динамическом сжатии до 200 кбар
Ю. А. Осипьян, В. Е. Фортов, К. Л. Каган, В. В. Кведер, В. И. Кулаков, А. Н. Курьянчик, Р. К. Николаев, В. И. Постнов, Н. С. Сидоров
Ю. А. Осипьян, В. Е. Фортов, К. Л. Каган, В. В. Кведер, В. И. Кулаков, А. Н. Курьянчик, Р. К. Николаев, В. И. Постнов, Н. С. Сидоров. Электропроводность кристаллов фуллерена С60 при динамическом сжатии до 200 кбар // Письма в ЖЭТФ, том 75, вып. 11, http://www.jetpletters.ac.ru
Аннотация Измерена удельная электропроводность sigma кристаллов фуллерена С60 в условиях квазиизэнтропического нагружения размытой ударной волной до давления 200 кбар при начальных температурах T=293 К и 77 К. В результате зарегистрировано резкое увеличение sigma на 7--8 порядков с 10-6 - 10-7 Ом-1cdotсм-1 при нормальных условиях до 5 Ом-1cdotсм-1 в диапазоне давлений 100--200 кбар. Электропроводность образцов под давлением падает с понижением температуры, что характерно для полупроводников. При снятии давления значение sigma возвращается к исходной величине.
 http://www.jetpletters.ac.ru/ps/594/article_9333.pdf
Показать статистику
Похожие публикации

Комментарии

Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален