Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:
Опубликовать в блог:
Опубликовано 2003-05-10 ОрганизацияМосковский инженерно-физическийинститут (государственный университет), 115409 Москва, РоссияИнститут физики высоких давлений им.Л. Ф. Верещагина РАН, 142092Троицк, Московская обл., РоссияMax-Planck Institut fu ЖурналПисьма в ЖЭТФ


Резонансное комбинационное рассеяние в сверхпроводящем Ba1-xKxBiO3
А. П. Менушенков,И. А. Троян, М. И. Еремец
А. П. Менушенков,И. А. Троян, М. И. Еремец. Резонансное комбинационное рассеяние в сверхпроводящем Ba1-xKxBiO3 // Письма в ЖЭТФ, том 77, вып. 9, http://www.jetpletters.ac.ru
Аннотация Исследовано влияние энергии кванта возбуждающего лазерного излучения на форму спектров комбинационного рассеяния Ba1-xKxBiO3 с x= 0.25, 0.40 и 0.50. Показано, что увеличение длины волны лазерного излучения с 488 нм до 750 нм слабо влияет на амплитуды и частоты линий в спектрах несверхпроводящего состава с x=0.25. Обнаружен значительный рост интенсивности и существенный сдвиг характерных частот для оптимально допированного (x=0.40) и передопированного (x=0.50) сверхпроводящих составов. Это указывает на то, что во всей области сверхпроводимости 0.37leq x leq0.50 локальная симметрия кристаллической решетки Ba1-xKxBiO3 отличается от идеальной кубической симметрии, которая существует согласно литературным данным. Наблюдение резонансных явлений при сдвиге энергии кванта возбуждающего лазера к энергии оптической щели свидетельствует о существовании локальных электронных пар во всем диапазоне 0.37leq x leq0.50 сверхпроводящих составов и говорит в пользу механизма сверхпроводимости Ba1-xKxBiO3, предложенного нами ранее на основе экспериментального исследования рентгеновских спектров поглощения.

Комментарии

Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален