Профиль » Публикация
Опубликовано
2003-11-25
ОрганизацияНаучно-исследовательский институт ядерной физики, Московский государственный университет, 119899 Москва, Россия
ЖурналПисьма в ЖЭТФ
Резонансное туннелирование в сверхпроводящих структурах с s- и d-симметрией параметра порядка
Д. В. Гончаров, И. А. Девятов, М. Ю. Куприянов. Резонансное туннелирование в сверхпроводящих структурах с s- и d-симметрией параметра порядка // Письма в ЖЭТФ, том 78, вып. 10, http://www.jetpletters.ac.ru
Аннотация
Исследуются процессы резонансного туннелирования в сверхпроводящих переходах малой прозрачности с различной симметрией параметра порядка электродов. В рамках формализма функций Грина выводится общая формула резонансного тока для переходов любой размерности. Для сверхпроводящих переходов с изотропным параметром порядка проведен анализ фазовой зависимости сверхтока, усредненного по множеству локализованных состояний. В 2D случае выполнен численный анализ резонансного транспорта тока в переходах с ВТСП электродами с d-симметрией параметра порядка.
http://www.jetpletters.ac.ru/ps/111/article_1927.pdf
Показать статистику Комментарии
Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален
