Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1998-00-00 Организация1 Институт физики полупроводников АН Украины, 252650 Киев, Украина 2Словацкий технический университет, Братислава, Словакия 3Институт химии поверхности АН Украины, Киев, Украина ЖурналЖурнал Технической Физики

Связь электронных свойств границы раздела фаз с межфазными взаимодействиями в гетероструктурах NbN--GaAs

Беляев А.А., Готовы И., Венгер Е.Ф., Ляпин В.Г., Конакова Р.В., Миленин В.В., Тхорик Ю.А., Кашин Г.Н.

Беляев А.А., Готовы И., Венгер Е.Ф., Ляпин В.Г., Конакова Р.В., Миленин В.В., Тхорик Ю.А., Кашин Г.Н. Связь электронных свойств границы раздела фаз с межфазными взаимодействиями в гетероструктурах NbN--GaAs // ЖТФ, 1998, том 68, выпуск 1, Стр. 63

Аннотация Исследовались особенности контактообразования в системе NbN--GaAs при изменении структурно-фазового состояния металлического конденсата. Показано, что роль химического фактора в процессах контактообразования снижается с возрастанием степени структурного совершенства сплава NbN. Обсуждаются причины соответствующих изменений в электронной структуре границы раздела, вызванных фазовым переходом NbN--Nb4N3. До и после отжига в вакууме при T=850oC в течение 10 s измерены оже-спектры и вольт-амперные и вольт-фарадные характеристики поверхностно-барьерных структур NbN--GaAs.