Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1998-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.&nbsp;Иоффе РАН, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал Технической Физики

Управление фазовым переходом металл--полупроводник в пленке диоксида ванадия с помощью быстродействующего термоохладителя.&nbsp;III

Гальперин В.Л., Хахаев И.А., Чудновский Ф.А., Шадрин Е.Б.

Гальперин В.Л., Хахаев И.А., Чудновский Ф.А., Шадрин Е.Б. Управление фазовым переходом металл--полупроводник в пленке диоксида ванадия с помощью быстродействующего термоохладителя. III // ЖТФ, 1998, том 68, выпуск 2, Стр. 110

Аннотация Проведен анализ динамики процессов импульсного охлаждения быстродействующих термоэлектрических охладителей. Получено хорошее согласие теории с результатами эксперимента по стиранию информации с интерференционной окисно-ванадиевой структуры в моноимпульсном и частотном режимах. Показано, что реально достижимой частотой смены кадров при термоэлектрическом стирании информации является частота около 30 Hz, причем быстродействующий термоохладитель способен обеспечить в таком режиме перепад температур между холодным и горячим спаями не менее 10oC.