Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:
Опубликовать в блог:
Опубликовано 1998-00-00 ОрганизацияФизико-технический институт им. А.Ф.Иоффе РАН, 194021 Санкт-Петербург, Россия ЖурналЖурнал Технической Физики


Влияние электронной эмиссии с коллектора на распределение потенциала в кнудсеновском диоде с поверхностной ионизацией в недокомпенсированном режиме
Ситнов В.И., Эндер А.Я.
Ситнов В.И., Эндер А.Я. Влияние электронной эмиссии с коллектора на распределение потенциала в кнудсеновском диоде с поверхностной ионизацией в недокомпенсированном режиме // ЖТФ, 1998, том 68, выпуск 4, Стр. 37
Аннотация Теоретически исследуются распределения потенциалов в кнудсеновском диоде с поверхностной ионизацией в недокомпенсированном режиме при наличии электронной эмиссии с поверхности коллектора. Разработан метод расчета распределений потенциалов. Показано, что при достаточно сильной эмиссии с коллектора не образуются волнистые распределения потенциалов, а происходит непрерывный переход от распределения с виртуальным анодом к распределению с виртуальным катодом. Особое внимание уделено изучению окрестности точки перехода от одного из этих распределений к другому.
Ключевые слова публикации:
     

Комментарии

Вам необходимо зайти или зарегистрироваться для комментирования
Этот комментарий был удален
Этот комментарий был удален