Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1998-00-00 Организация1&nbsp;Институт физики полупроводников НАН Украины, 252650 Киев, Украина 2&nbsp;Институт электросварки им.&nbsp;Е.О.&nbsp;Патона НАН Украины, 252005 Киев, Украина ЖурналЖурнал Технической Физики

Влияние сверхвысокочастотной обработки на&nbsp;электрофизические характеристики технически важных полупроводников и&nbsp;поверхностно-барьерных структур

Беляев А.А., Беляев А.Е., Ермолович И.Б., Комиренко С.М., Конакова Р.В., Ляпин В.Г., Миленин В.В., Соловьев Е.А., Шевелев М.В.

Беляев А.А., Беляев А.Е., Ермолович И.Б., Комиренко С.М., Конакова Р.В., Ляпин В.Г., Миленин В.В., Соловьев Е.А., Шевелев М.В. Влияние сверхвысокочастотной обработки на электрофизические характеристики технически важных полупроводников и поверхностно-барьерных структур // ЖТФ, 1998, том 68, выпуск 12, Стр. 49

Аннотация Исследован эффект стимулированного сверхвысокочастотным электромагнитным излучением изменения электрофизических параметров узкозонных (CdxHg1-xTe с x=0.22-0.24) и широкозонных (арсенид галлия, фосфиды индия и галлия) полупроводниковых материалов и диодных структур с барьером Шоттки на их основе. Показано, что улучшение параметров материалов и приборных структур обусловлено геттерированием дефектов. Рассмотрены возможные механизмы взаимодействия СВЧ излучения с исследованными объектами.