Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1999-00-00 ОрганизацияОбъединенный институт высоких температур, Научно-исследовательский центр прикладных проблем электродинамики РАН, 127412 Москва, Россия ЖурналЖурнал Технической Физики

Микроволновой пробой высокотемпературной сверхпроводящей пленки, инициированный тепловыми возмущениями и&nbsp;дефектами

Бузников Н.А., Пухов А.А.

Бузников Н.А., Пухов А.А. Микроволновой пробой высокотемпературной сверхпроводящей пленки, инициированный тепловыми возмущениями и дефектами // ЖТФ, 1999, том 69, выпуск 5, Стр. 52

Аннотация Теоретически исследовано влияние тепловых возмущений и несверхпроводящих дефектов на микроволновой пробой высокотемпературной сверхпроводящей пленки. Получена зависимость критической энергии тепловых возмущений от поверхностного микроволнового поля. Показано, что в широком интервале значений поверхностного микроволнового поля критическая энергия локальных возмущений меньше критической энергии пространственно протяженных возмущений. Установлено, что микроволновому пробою на дефектах может предшествовать стадия образования области нормальной фазы конечного размера, локализованной на дефекте. Исследовано влияние формы дефекта и его коэффициента поглощения на сценарий разрушения сверхпроводимости и поле микроволнового пробоя пленки на дефекте.