Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1999-00-00 ОрганизацияИнститут сильноточной электроники СО РАН, 634055 Томск, Россия ЖурналЖурнал Технической Физики

Ток в сильноточном планарном диоде с&nbsp;дискретной эмиссионной поверхностью

Беломытцев С.Я., Коровин С.Д., Пегель И.В.

Беломытцев С.Я., Коровин С.Д., Пегель И.В. Ток в сильноточном планарном диоде с дискретной эмиссионной поверхностью // ЖТФ, 1999, том 69, выпуск 6, Стр. 97

Аннотация Для сильноточного планарного диода с дискретной эмиссионной поверхностью получена зависимость величины тока от размера эмиттеров. Показано, что если расстояние между эмиттерами значительно превышает их размер, зависимость тока от отношения размера эмиттера к величине диодного зазора является степенной с показателем 3/2. При этом зависимость тока от напряжения подчиняется закону "трех вторых" до более высоких напряжений, чем в случае плоского диода с однородной эмиссионной поверхностью.