Профиль » Публикация

Поделиться публикацией:

Опубликовано 1999-00-00 ОрганизацияВоронежский государственный университет, 394693 Воронеж, Россия ЖурналЖурнал Технической Физики

Нестационарная спектроскопия поверхностных состояний в&nbsp;режиме постоянного подпорогового тока МДП&nbsp;транзистора

Левин М.Н., Бормонтов Е.Н., Татаринцев А.В., Гитлин В.Р.

Левин М.Н., Бормонтов Е.Н., Татаринцев А.В., Гитлин В.Р. Нестационарная спектроскопия поверхностных состояний в режиме постоянного подпорогового тока МДП транзистора // ЖТФ, 1999, том 69, выпуск 8, Стр. 60

Аннотация Реализован метод исследования спектра поверхностных состояний на границе раздела полупроводник--диэлектрик по релаксации напряжения на затворе МДП транзистора, измеряемого в режиме постоянного подпорогового тока. Предлагаемый метод обеспечивает возможность исследования этих состояний в обеих половинах запрещенной зоны полупроводника и удобен для тестового контроля интегральных схем. Возможности метода проиллюстрированы на примере определения радиационно-стимулированных изменений спектра поверхностных состояний.